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Propiedades Estructurales y Electrónicas del CdznTe Mediante la Teoría del Funcional de la Densidad - DFT, como Material Fotovoltaico.

Resumen en español

Haciendo uso de los primeros principios basados en la teoría del funcional de la densidad –DFT- (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del Teluro de Cadmio-Zinc –CdZnTe- asumiendo que cristaliza en una aleación half-heusler; para ello en primer lugar se calcularon y analizaron las propiedades mencionadas para la estructura pura CdTe. Se empleó el método de ondas planas y de presudopotenciales atómicos del tipo ultra suave para resolver las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación del CdTe se empleó la Aproximación de Gradiente Generalizado -GGA- y de Densidad Local –LDA-, dentro de la parametrización Perdew-Burke-Ernzerhof –PBE- y Perdew-Zunger –PZ- respectivamente. Tal como está implementado en el código computacional Quantum Espresso. Se encontró que el CdTe presenta una constante de red y un band gap de a0=6.06Å y 1.8eV para LDA, y a0=6.63Å y 0.55eV para GGA respectivamente, siendo esta última la más cercana a la constante de red experimental a0=6.48Å. Para el CdZnTe se optó por la GGA dando una constante de red de a0=7.1Å, de otra parte la Densidad de Estados DOS y las bandas de energía no son concluyentes para determinar si el material es semiconductor o semimetal.